半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用

當半導體單晶硅傳感器材料受到外力作用，產(chǎn)生肉眼無法察覺的極小應變時，原子結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子能級狀態(tài)發(fā)生變化，導致電阻率劇烈變化，材料產(chǎn)生的電阻發(fā)生很大變化，稱為壓阻效應，我們在20世紀50年代才開始發(fā)現(xiàn)和研究這種效應的應用價值。

利用壓阻效應原理，采用三維集成電路工藝技術(shù)和一些特殊工藝，在單晶硅片上的特定晶體方向，制作應變電阻傳感器，利用硅的彈性力學特性，在同一硅片上進行特殊機械加工，集應力敏感性和力轉(zhuǎn)換檢測于一體，稱為固體壓阻傳感器。

固態(tài)壓阻壓力傳感器誕生于20世紀60年代末，顯然，與傳統(tǒng)的膜合電位計、力平衡、變電感、變電容、金屬應變片和半導體應變片傳感器相比，它在壓力測量領(lǐng)域仍然是最新一代傳感器。由于各自的特點和局限性，雖然不能完全取代上述機械量傳感器，但自20世紀80年代中期以來，在美國、日本和歐洲傳感器市場，它一直是壓力傳感器中的牛耳品種，幾乎與加速度傳感器的國際市場平分。目前，在具有大規(guī)模集成電路技術(shù)和計算機軟件技術(shù)干預的智能傳感器技術(shù)中，它仍然是最引人注目的，因為它可以制成單片式多功能復合敏感元件，形成智能傳感器的基礎(chǔ)。